Präzisions-5-Achsen-CNC-Halbleiter-Vakuumkammer-Spezifikationen

Präzisions-5-Achsen-CNC-Halbleiter-Vakuumkammer-Spezifikationen
Informationen:
Dienstleistungen: 5-Achsen-CNC-Fräsen und Drehfräsen für monolithische Vakuumkammern und interne Komponenten.

Kapazität: Kasten-, Kugel- und Zylinderkammer-Bearbeitungsräume bis zu 1800 × 1500 × 800 mm.

Endbearbeitungen: Elektropolieren auf Ra 0,2 µm, Spiegelfräsen, Perlenstrahlen, Passivieren und Hartanodisieren.

Spezifikationen: Maßtoleranzen bis zu ±0,005 mm mit hochpräzisen O-Ring-Nuten und CF-Messerkantenprofilen.

Qualitätskontrolle: Pfeiffer-Helium-Massenspektrometrie-Leckerkennung, OES-Spektralmaterialprüfungen und optische Profilierung.

Lieferzeit: 15 Tage Lieferung für Standardausführungen und 30–40 Tage für vollständig bearbeitete UHV-Kammern.

MOQ: Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Einheit für die Prototypenfertigung bis hin zur Serienproduktion.

Zeichnungen: Direkte Verarbeitung von STEP-, IGS-, X_T-, DWG- und PDF-2D/3D-CAD-Dateien.

Mehrwert-Hinzufügen: thermisches Spannungsentlastungsglühen-, Reinraum-Ultraschallwaschen und doppelte Vakuumverpackung.
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Beschreibung
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Technische Spezifikationen für die 5-Achsen-CNC-Bearbeitung von Halbleiter-Vakuumkammern

Monolithisch gefräste Vakuumgehäuse, die auf fehlerfreie Vakuumintegrität, geringe Ausgasung und langfristige Dimensionsstabilität ausgelegt sind.

Technische Kernfunktionen:

Heliumleckrate Kleiner oder gleich 1×10^-12 Pa·m³/s mit 100 % Testberichten.

Austenitischer Edelstahl 304/316L und Aluminiumlegierungen 6061-T6.

Herstellung von Ultrahochvakuumkammern bis zu 10^-9 Pa.

Die Ebenheitstoleranz der Flanschdichtfläche liegt bei höchstens 0,02 mm/m.

Design der Halbleiter-Schleusenkammer mit Spannungsentlastung.

15-tägige Prototypenbearbeitung für technische Bewertungsmodelle.

Zeiss CMM validierte die hochpräzise CNC-Bearbeitung von Halbleiterteilen.

 

PVD Deposition System Vacuum Chamber

 

Monoblock-Fräsmöglichkeiten für Halbleiter-Vakuumkammern

Eliminierung struktureller Schweißnähte, um heliumdichte Dichtungen und eine hervorragende mechanische Integrität in Prozesskammern zu erreichen.

 

Xiamen Dazao Machinery produziert Monoblock5-Achsen-CNC-gefräste Halbleiter-VakuumkammernEntwickelt für Hochvakuum- (HV) und Ultrahochvakuum-Systeme (UHV). Mithilfe von mehrachsigen Dreh- und 5-Achsen-Simultan-CNC-Fräszentren werden massive Knüppel aus Edelstahl 304, 316L und Al6061-T6 in präzise Vakuumgehäuse ohne strukturelle Schweißnähte umgewandelt.

 

Unsere Produktionskapazitäten unterstützen kastenförmige PVD-Abscheidungskammern, Plasmaätzkammern, Wafer-Ladeschleusenmodule und sphärische UHV-Reaktionsgefäße. Durch die Eliminierung innerer Porosität, Materiallücken und hitzebedingter Schweißnahtfehler werden unsere5-Achsen-CNC-Bearbeitung einer Halbleiter-VakuumkammerDer Prozess liefert stabile Dichtungsgrenzen, kontinuierliche interne Kühlkanäle und verzerrungsfreie Flanschflächen für globale Werkzeughersteller.

Vacuum Chamber Housing Parts For Semiconductor Equipment

 

Feldfehleranalyse und technische Korrekturmaßnahmen

Reale-technische Ursachenanalysen von Feldinstallationen von Halbleitergeräten.

 

1: PVD-Abscheidungskammerflansch-Mikro-Leckage-Beseitigung

 

· Grundursache:Bei einem europäischen Kunden für Dünnschichtausrüstung kam es bei der Helium-Leckprüfung an kastenförmigen PVD-Kammern aus Edelstahl, die von einem älteren Anbieter gefertigt wurden, zu einer Ausfallrate von 30 %. Bei der Fehleranalyse wurden mikroskopisch kleine Vorschubspuren und eine Abweichung der Flanschebenheit von mehr als 0,05 mm auf der Dichtfläche festgestellt.

 

· Technische Maßnahmen:Wir haben das Spiegelfräsen mit einer speziellen Planfräsergeometrie eingeführt, gefolgt von präzisem Handläppen. Die Ebenheit der Oberfläche wurde auf weniger als oder gleich 0,02 mm/m gebracht und die Rauheit wurde auf Ra 0,4 µm reduziert. JederPräzisionsgefertigte EdelstahlkomponentenDer Lauf wird nun vor dem Versand einem 100-prozentigen Helium-Massenspektrometertest unterzogen, wodurch sich die Akzeptanzrate der Baugruppe auf 100 % erhöht.

 

2: Ausgasungsminderung in sphärischen UHV-Reaktionsgefäßen

 

· Grundursache:Ein Forschungsinstitut berichtete von einem Basisdruck von 10^-7 Pa in einer kugelförmigen UV-Kammer mit CF-Flanschen aus Standard-SS304. Hohe Ausgasungsraten durch interne Oberflächenverunreinigungen und eingeschlossene Feuchtigkeit verhinderten ein Abpumpen auf das erforderliche Niveau von 10^-9 Pa.

 

· Technische Maßnahmen:Wir haben die Materialspezifikation auf kohlenstoffarmen SS316L geändert, einen 900-Grad-Vakuumglüh-Entgasungszyklus integriert und internes Elektropolieren implementiert, um die Oberflächenrauheit auf Ra kleiner oder gleich 0,2 µm zu senken. Nach dem Reinraum-Ultraschallwaschen und Vakuumbacken erreichte das Endvakuum innerhalb der Spezifikation 10^-9 Pa.

 

3: Verziehen des Flansches der Schleusenkammer unter Druckwechsel

 

· Grundursache:Ein Hersteller von Wafer-Ausrüstung stellte nach sechs Monaten Betrieb einen fortschreitenden Vakuumverlust in einer Halbleiter-Schleusenkammer fest. Durch die schnelle Entlüftung-auf-Vakuumdruckwechsel wurden verbleibende Bearbeitungsspannungen gelöst, wodurch sich der Flansch der Hauptdichtungstür um 0,03 mm verzog.

 

· Technische Maßnahmen:Wir haben einen zweistufigen Spannungsabbauprozess eingeführt: Grobfräsen → thermisches Glühen → Halb{1}}Schlichten → sekundäre thermische Stabilisierung → 5{3}Achsen-Fertigfräsen mit Werkzeug-{4}}Weg-Mikro--Kompensation. Postmodifizierte Ladeschleusentüren zeigten nach 10.000 Druckzyklen eine Verformung von weniger als oder gleich 0,01 mm.

Custom Stainless Steel Vacuum Chamber

 

Technische Unterscheidungsmerkmale für die Ultra-Hochvakuumfertigung

Standardisierte metallurgische und Prüfabläufe, die Halbleiterkammern von kommerziellen Maschinenwerkstätten trennen.

 

1. Abgestufte Vakuumversiegelung und 100 % Helium-Leckvalidierung:

· Hochvakuum-Standard (HV):Heliumleckrate Kleiner oder gleich 1×10^-10 Pa·m³/s. Optimiert für PVD-Systeme, Ladeschleusen und Transfermodule.

· Ultra-Hochvakuum (UHV)-Standard:Heliumleckrate Kleiner oder gleich 1×10^-12 Pa·m³/s. Entwickelt für Plasmaätz- und Oberflächenanalysesysteme.

 

2. UHV-Materialausgasungskontrollprotokoll:

· Rückverfolgbarkeit von Materialchargen mit Auswahl einer Legierung mit niedrigem Dampfdruck (SS316L, Al6061-T6).

· Bei der thermischen Entgasung im Hochvakuum wird absorbierter Wasserstoff aus inneren Metallgittern entfernt.

· Elektropolieren reduziert die Mikroporosität und die Oberflächenabsorptionsfläche.

 

3. Spannungsstabilisierung bei zyklischer Belastung:

· Durch das zweistufige thermische Glühen werden Restspannungen bei der Bearbeitung beseitigt.

· Die Werkzeugwegkompensation verhindert strukturelle Durchbiegung unter atmosphärischen Druckbelastungen.

Plasma Etching Chamber Semiconductor Equipment

 

Leistungsvergleich: Monoblock-5-Achsen-Fräsen vs. geschweißte Baugruppen

Quantitative Bewertung der Vakuumintegrität, Präzision und langfristigen Betriebskosten.

 

Bewertungsmetrik

Monoblock-5-Achsen-CNC-Fräsen

Geschweißte Blechbaugruppe

Struktur- und Prozessauswirkungen

Risiko von Vakuumlecks

Keine inneren Schweißnähte; Solide Billet-Geometrie

Hohes Risiko an Schweißnähten in der Hitzeeinflusszone (HAZ).

Verhindert Ermüdungsrisse bei kontinuierlichen Vakuumzyklen

Flanschebenheit

Ebenheit kleiner oder gleich 0,02 mm/m; Bohrungen auf ±0,005 mm gehalten

Durch thermische Verformung wird die Ebenheit um mehr als 0,10 mm verzerrt

Gewährleistet eine präzise Ausrichtung des Wafer-Transfer-Roboterarms

Ausgasungsrate

Geringe Oberfläche; elektropoliert Ra Kleiner oder gleich 0,2 µm

Hohe Ausgasung durch raue Schweißnähte und Flussmitteleinschlüsse

Beschleunigt die Kammerpumpe-bis zum ultimativen Vakuumniveau

Interne Kanäle

Monolithische Flüssigkeitskanäle und komplexe Anschlüsse

Externe geschweißte Flüssigkeitsleitungen und geschweißte Verteiler

Verhindert Leckpfade des internen Kühlmittels innerhalb der Vakuumgrenzen

Vorlaufzeit für die Prototypenerstellung

Direktes CAD-zu-CNC-Fräsen ohne harte Werkzeuge

Erfordert Schweißvorrichtungen, Presswerkzeuge und Ausrichtungsvorrichtungen

Verkürzt den Zeitaufwand für die technische Iteration für neue Tools

Für Anwendungen, die ein optimiertes Wärmemanagement oder einen Korrosionsbarriereschutz erfordern, umfassen unsere Nachbearbeitungsmöglichkeiten zertifizierteHarteloxieren und ElektropolierenOptionen, die den Werkzeugherstellerstandards entsprechen.

Ion Implantation Vacuum Chamber

 

Tabelle mit technischen Daten

Strenge Toleranzen, Oberflächenbeschaffenheiten und Inspektionsstandards für Vakuumkammern.

 

Parameterkategorie

Hochvakuum-Standard (HV).

Ultra-Hochvakuum (UHV)-Standard

Materialoptionen

SS304, Al6061-T6, Al7075-T6

SS316L (kohlenstoffarm), Titan Grad 2

Maximale Umschlaggröße

1800 mm × 1500 mm × 800 mm

1200 mm sphärische/zylindrische Hülle

Flanschebenheit

Kleiner oder gleich 0,02 mm/m

Kleiner oder gleich 0,01 mm/m

Bearbeitungstoleranzen

±0,010 mm

±0,005 mm

Oberflächenbeschaffenheit (innen)

Ra 0,8 µm (As-gefräst / perlgestrahlt)

Ra 0,2 µm (elektropoliert)

Helium-Leckrate

Kleiner oder gleich 1×10^-10 Pa·m³/s

Kleiner oder gleich 1×10^-12 Pa·m³/s

Grundbetriebsdruck

Bis zu 10^-7 Pa

Bis zu 10^-9 Pa

Bearbeitungsausrüstung

5-Achsen-Simultanfräsen, Dreh-Fräsen

5-Achsen-Portalfräsen, Koordinatenschleifen

Qualitätsdokumentation

CMM-Inspektionsbericht, Materialzertifikat (EN 10204 3.1)

Helium-Leckdetektor-Protokolle, Ausgasungsdaten

Spherical UHV Chamber with CF Flanges

 

Qualitätssicherungs- und Inspektionsstandards

Verifizierungsprotokolle, die eine direkte Integration in Halbleiterfertigungslinien gewährleisten.

 

Unsere Fertigungsbetriebe unterliegen einem nach ISO 9001:2015 zertifizierten Qualitätsmanagementsystem. Inspektionsprotokolle decken jede Phase der Kammerfertigung ab:

 

· Materialinspektion:Eingehende Materialchargen werden einer chemischen Überprüfung mittels optischer Emissionsspektroskopie (OES) unterzogen. Ultraschallprüfungen stellen sicher, dass in dicken Profilen keine Hohlräume entstehen.

 

· Erstmusterprüfung (FAI):FAI-Abmessungsberichte werden mit Zeiss-KMG-Geräten erstellt, bevor vollständige Serienproduktionsläufe freigegeben werden.

 

· In-Präzisionsprüfungen im Prozess:Kritische Dichtungsabmessungen, O-Ring-Nutgeometrie und ConFlat (CF)-Messerkantenprofile werden während der Fräsvorgänge überprüft.

 

· 100 % Helium-Leckprüfung:Jede kastenförmige Hochvakuumkammer wird einer Leckprüfung mit Helium-Massenspektrometer-Lecksuchern von Pfeiffer im Vakuummodus unterzogen.

 

· Reinraumverpackung:Die Teile werden einer Ultraschallreinigung mit entionisiertem Wasser, einer Vakuum-Ausheizentgasung, einer doppelten Polyethylenverpackung in einem Reinraum und einer Schutzkiste unterzogen.

Aluminum Semiconductor Vacuum Chamber Manufacturer

 

Material- und Geometrieauswahlmatrix

Passende Materialeigenschaften und Strukturformen für Prozessgasumgebungen und Vakuumbereiche.

 

· Edelstahl 304 / 316L:Selected for operating bakeout temperatures >200 Grad, reaktive Prozesschemie und ultimative Vakuumanforderungen unter 10^-7 Pa. SS316L ist für Chlor- und Fluor-Plasmaätzprozesse spezifiziert.

 

· Aluminium 6061-T6:Wird dort eingesetzt, wo Wärmeableitung, reduziertes Gewicht für Wafer-Handhabungsroboter und schnelle Abpumpzyklen erforderlich sind. Die Oberflächenpassivierung mit Aluminiumoxid bietet eine wirksame Ausgasungsbarriere.

 

· Kasten-/Rechteckgehäuse:Bietet maximales internes Substratladevolumen. Empfohlen für den Aufbau von PVD-Abscheidungssystemen, Vakuumkammern und automatisierten Transfermodulen.

 

· Kugelförmige / zylindrische Gehäuse:Verteilt strukturelle Druckspannungen gleichmäßig bei voller atmosphärischer Differenzbelastung. Ideal für kugelförmige UV-Kammern mit CF-Flanschen, die in der Wissenschaft und in der Oberflächenanalyse eingesetzt werden.

 

Zielanwendungsbranchen

Wir beliefern globale Halbleiter-OEMs, Hersteller von Beschichtungsanlagen und wissenschaftliche Forschungslabore.

Semiconductor Wafer Processing

Verarbeitung von Halbleiterwafern

Produktion von Plasmaätzkammer-Halbleitergeräten, CVD-Gehäusen und Ionenstrahlmodulen.

PVD Thin-Film Deposition

PVD-Dünnschichtabscheidung-

Monolithische Kammerkörper mit integrierten Targetflanschen und Innenkühlung für Sputtersysteme.

UHV Research Laboratories

UHV-Forschungslabore

Maßgeschneiderte UHV-Kammern für Synchrotronlichtquellen, Oberflächenphysik und Teilchenbeschleunigungssysteme.

Tool Maintenance & Refurbishment

Werkzeugwartung und -überholung

Neu-Bearbeitung und passgenauer-Austausch vonPräzisions-CNC-Vakuumkammerkomponentenfür ältere Wafer-Fabriklinien.

Holen Sie sich ein Angebot für eine Halbleiter-Vakuumkammer

FAQs

 

 

Box Shaped High Vacuum Chamber

01.Wie unterscheidet man bei der Prüfung zwischen einem echten Vakuumleck und einer Materialausgasung?

Um virtuelle Lecks von echten Lecks zu unterscheiden, sind Druckanstiegstests und eine Restgasanalyse (RGA) erforderlich. Ausgasungen (hauptsächlich Wasserdampf) führen dazu, dass sich die Abpumpkurven bei mittleren Drücken abflachen, der Druckanstieg flacht jedoch mit der Zeit ab, wenn isoliert. Ein echtes atmosphärisches Leck zeigt einen kontinuierlichen, linearen Druckanstieg. Wir lösen Ausgasungen durch Vakuumglühen und Elektropolieren und bestätigen den Status eines echten Null--Lecks durch Helium-Massenspektrometrie.

02.Warum Aluminium 6061-T6 gegenüber Edelstahl für Halbleiter-Vakuumkammern?

Wie in technischen Diskussionen hervorgehoben wurde, bietet Aluminium eine dreimal geringere Dichte, eine bessere Wärmeleitfähigkeit und eine schnellere Ausheizerholung als Edelstahl. Aluminium bildet auf natürliche Weise eine Aluminiumoxidbarriere an der Oberfläche, die eine extrem geringe Wasserstoffpermeation aufweist, wodurch die Ausgasung im Hochvakuumbereich reduziert und gleichzeitig das Werkzeuggewicht und die Bearbeitungskosten gesenkt werden.

03.Wie verhindern Sie Beschädigungen und Grate an ConFlat (CF)-Messerkantenflanschen während der 5-Achsen-Bearbeitung?

CF-Messerkanten-Dichtlippen erfordern präzise 90-Grad-Profile ohne Rattermarken, um sauber in sauerstofffreie Kupferdichtungen einzugreifen. Wir verwenden spezielle kundenspezifische Profilfräswerkzeuge, ultrafeine Schlichtvorschübe und Spiegelfräsdurchgänge. Jede Messerschneide wird einer 100-prozentigen optischen Vergrößerungsprüfung unterzogen, um sicherzustellen, dass keine Mikrograte oder Kantenüberschläge vorhanden sind.

04. Warum kann eine Vakuumkammer die statische KMG-Prüfung bestehen, die Helium-Leckprüfung jedoch nicht bestehen?

Statische Koordinatenmessgeräte (KMG) messen die Makrogeometrie, können jedoch keine Mikroporosität, keine Kontinuität von Vorschubmarkierungen über Dichtungsflächen oder Oberflächenvibrationen im Sub{3}-Mikrometerbereich erkennen. Heliumatome dringen in Mikrorillen ein, die an KMG-Tastköpfen vorbeigleiten. Wir kombinieren Spiegelfräsen mit 100 % Helium-Massenspektrometertests unter vollständiger Vakuumevakuierung.

05.Was verhindert, dass sich die Flansche der Schleusenkammer bei häufigem Druckwechsel verziehen?

Entlüftungs-{0}}zu--Vakuumdruckwechsel führen zu zyklischer mechanischer Ermüdung und setzen Restspannungen frei, die von aggressivem Schwerfräsen übrig geblieben sind. Wir eliminieren dieses Risiko durch die Implementierung eines mehrstufigen Spannungsarmglühens zwischen dem Grobfräsen, dem Halbschlichten und den abschließenden 5{6}Achsen-Präzisionsschlichtdurchgängen, um eine langfristige geometrische Stabilität unter unterschiedlichen atmosphärischen Belastungen sicherzustellen.

06.Wie wirkt sich die innere Oberflächenrauheit (Ra) auf den Vakuum-Basisdruck aus?

Rauere Oberflächen enthalten mikroskopisch kleine Spitzen und Täler, die Luftfeuchtigkeit und Prozessgase einschließen, wodurch die ausgasende Oberfläche dramatisch vergrößert wird. Das Elektropolieren der inneren Kammerwände von Ra 0,8 µm bis hin zu Ra 0,2 µm reduziert die effektive Mikrooberfläche um bis zu 80 % und verkürzt die Ausfallzeiten der Kammerpumpe, um die ultimativen UHV-Drücke zu erreichen.

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Beliebte label: 5-Achsen-CNC-Bearbeitung einer Halbleiter-Vakuumkammer, Herstellung von Ultrahochvakuumkammern, Design einer Halbleiter-Schleusenkammer, kastenförmige Hochvakuumkammer, sphärische UV-Kammer mit CF-Flanschen

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